9月25日报道，台湾半导体制造公司(台积电)在研究和开发2NM半导体制造节点方面取得了重大突破：台积电预计将于2023年中期进入2NM工艺的试生产阶段，并在一年内开始大规模生产。

目前，台积电最新的制造工艺是其第一代5nm工艺，将用于为iPhone 12等设备制造处理器。

台积电2NM工艺将采用差分晶体管设计。这种设计称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管，是对以往FinFET设计的补充。

台积电首次决定为其晶体管设计MBCFET，而不是把它交给晶片工厂。三星去年4月宣布了其3nm制造工艺的设计，该公司的MBCFET设计是对2017年与IBM一起开发和推出的GAAFET晶体管的改进。三星的MBCFET使用的是纳米线，与GAAFET相比。这增加了可用于导电的比表面积，更重要的是，允许设计者在不增加横向表面积的情况下向晶体管添加更多的栅。

IT House的数据显示，台积电预计，到2023年，其2纳米工艺芯片的产量将达到惊人的90%。如果是这样的话，该晶片厂将能够在2024年改进其制造工艺，并易于批量生产。三星在其mbcfet发布版中表示，预计3nm晶体管的功耗将分别比7nm设计低30%和45%，性能将比7nm设计分别提高30%和45%。